電子高純氣體是半導體生產制造中不可或缺的關鍵性材料，同時也是集成電路制造中的原材料，其占比僅次于硅片，占晶圓制造成本的14%。其在半導體產品制程工藝中廣泛應用于各個半導體制造工藝中，氣體的純度和潔凈度直接影響到光電子、微電子元器件的質量、集成度、特定技術指標和成品率，并從根本上制約著電路和器件準確性，對于半導體集成電路芯片的質量和性能具有重要意義。因此，對于高純氣的化學監控也成為重要的質控方向。

一般來說，高純氣體大致可以分為大宗氣體及電子特氣兩類：

氮、氫、氧、氬、氦等大宗氣體廣泛用于在半導體芯片生產的各個過程中,起到氛圍保護、輸送特氣、參與反應等作用，對氣體純度要求高。

半導體行業常用大宗氣體

● 氬 Argon：在晶體生長、注入、干刻蝕、濺射、氧化退火工藝中的惰性氣體。

● 氦Helium：載氣、吹掃氣或惰性氣體，泄露測試。

●氫Hydrogen：硅沉積工藝的載氣。

● 氮Nitrogen：擴散用載氣，晶圓存儲、真空泵、氣槍的吹掃氣，防止去膠機吹脫，不間斷氣動控制系統 。

●氧Oxygen：二氧化硅的化學氣相沉積，熱氧化生長，擴散、沉積用載氣，等離子光刻膠去除。

● OFA無油空氣：空氣軸承: 高壓無油空氣 (~ 1034 kPa or 10.3 bar) 保護光學元件: HPOFA + 純化器去除無機物和有機物 (HC, NO/NO2) 至 < 5 ppb. 管道采用316L EP 管(直徑可達8 inch)

半導體工業常用特氣

硅烷（SiH4）：有毒。硅烷在半導體工業中主要用于制作高純多晶硅、通過氣相淀積制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔離層、多晶硅歐姆接觸層和異質或同質硅外延生長原料、以及離子注入源和激光介質等，還可用于制作太陽能電池、光導纖維和光電傳感器等。

鍺烷（GeH4）：劇毒。金屬鍺是一種良好的半導體材料，鍺烷在電子工業中主要用于化學氣相淀積，形成各種不同的硅鍺合金用于電子元器件的制造。

磷烷（PH3）：劇毒。主要用于硅烷外延的摻雜劑，磷擴散的雜質源。同時也用于多晶硅化學氣相淀積、外延GaP材料、離子注入工藝、化合物半導體的MOCVD工藝、磷硅玻璃（PSG）鈍化膜制備等工藝中。

砷烷（AsH3）：劇毒。主要用于外延和離子注入工藝中的n型摻雜劑。

氫化銻（SbH3）：劇毒。用作制造n型硅半導體時的氣相摻雜劑。

乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的劇毒氣體。硼烷是氣態雜質源、離子注入和硼摻雜氧化擴散的摻雜劑，它也曾作為高能燃料用于火箭和導彈的燃料。

三氟化硼（BF3）：有毒，強刺激性。主要用作P型摻雜劑、離子注入源和等離子刻蝕氣體。

三氟化氮（NF3）：毒性較強。主要用于化學氣相淀積（CVD）裝置的清洗。三氟化氮可以單獨或與其它氣體組合，用作等離子體工藝的蝕刻氣體，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蝕刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蝕刻，也用于NbSi2的蝕刻。

三氟化磷（PF3）：毒性強。作為氣態磷離子注入源。

四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蝕性強的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化鉭（TaSi2）的等離子蝕刻、發光二 管P型摻雜、離子注入工藝、外延沉積擴散的硅源和光導纖維用高純石英玻璃的原料。

五氟化磷（PF5）：在潮濕的空氣中產生有毒的氟化氫煙霧。用作氣態磷離子注入源。

四氟化碳（CF4）：作為等離子蝕刻工藝中常用的工作氣體，是二氧化硅、氮化硅的等離子蝕刻劑。

六氟乙烷（C2H6）：在等離子工藝中作為二氧化硅和磷硅玻璃的干蝕氣體。

全氟丙烷（C3F8）：在等離子蝕刻工藝中，作為二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蝕刻氣體。

*在實際生產中，各種特氣通常混合為混合氣體，應用在外延生長、化學氣相沉積（CVD）、摻雜、刻蝕等工藝中。

以上就是本期小編給大家分享的內容了，我司從事多種氣體的制備、營銷和現場服務擁有雄厚的專業技術力量和物流服務，具有十多年危險品氣體銷售經驗和廣泛的銷售市場，積累了一定的氣體制造和供氣服務經驗，歡迎各界朋友來電咨詢、合作！